情报 三星宣称实现功耗降低 96% 的新型 NAND 设计——研究人员探索基于铁电晶体管的架构

研究人员展示基于铁电场效应晶体管的 3D NAND 单元，其导通电压接近零且每单元可存储高达 5 比特数据。 三星研究人员近日发表了一项实验性 NAND 架构的详细报告，旨在将该技术中最大的功耗来源之一降低 96%。 这项题为《用于低功耗 NAND 闪存的铁电场效应晶体管》的研究由三星先进技术研究院的研究人员完成，并发... 阅读全文