中芯国际测试首款国产浸没式 DUV 光刻机：迈向设备自主的关键一步

据《金融时报》报道，中芯国际（SMIC） 正在测试由中国企业自主研发的首台浸没式深紫外（DUV）光刻设备。这一进展标志着中国在高端芯片制造装备国产化道路上迈出了实质性一步。

该设备由 上海宇量昇科技有限公司（Yusheng Semiconductor Technology）开发，代号“Mount Everest”（珠穆朗玛峰），寓意其战略重要性。若未来顺利导入产线，将有助于缓解中国在先进制程设备上对海外供应商的依赖。

设备核心信息一览

📌 注：该设备尚未进入量产阶段，目前处于早期评估流程中。

技术对标：相当于 ASML 十多年前的主力机型

根据描述，这款国产浸没式 DUV 光刻机的技术水平大致对应 ASML Twinscan NXT:1950i —— 一款于 2008 年推出的经典机型，曾广泛用于全球 32nm 至 22nm 节点的生产。

虽然无法与当前最先进的 NXT:2000i 或 EUV 设备相比，但作为成熟节点国产替代的基础平台，其意义重大。

实际应用路径：从 28nm 到 7nm 的漫长跨越

尽管官方表示该设备“理论上可用于 7nm 和 5nm 工艺”，但必须明确：

✅ 它并非直接用于 7nm 量产，而是通过 多重图案化技术（Multiple Patterning） 在现有架构下实现更精细线路。

这正是当年台积电、三星等厂商在 EUV 上市前的做法——用成熟的 DUV 加复杂工艺补偿分辨率不足。

然而，这种路径存在明显瓶颈：

• 工艺步骤大幅增加（成本上升）
• 套刻误差累积风险高
• 良率控制难度加大

因此，即便设备能在 2027 年完成认证并投入 28nm 产线，要将其升级到真正稳定支撑 16nm 及以下节点，仍需数年时间进行光学系统、控制系统和软件算法的全面迭代。

📌 预期时间表：

• 2025–2026 年：完成实验室验证与首轮流片测试
• 2027 年：目标实现 28nm 节点小批量试产
• 2030 年前：较难实现亚 10nm 国产光刻系统全面替代

供应链进展：国产化率提升，但仍需突破关键环节

据知情人士透露，宇量昇的设备已实现大部分组件国内采购，包括：

• 机械结构件
• 控制系统
• 部分传感器与执行机构

但以下核心部件仍依赖进口或处于攻关阶段：

• 高精度光学镜头（由长春光机所等单位研发中）
• 深紫外光源（需稳定 ArF 激光器）
• 精密运动平台（纳米级定位）

公司正积极推进全链条本地化，目标是在未来几年内显著降低对外部供应的依赖。

企业背景：“宇量昇”与“新凯来”的协同布局

值得注意的是，上海宇量昇科技并非孤立存在。公开资料显示：

• 其背后投资方包含 新凯来技术有限公司；
• 新凯来是国家“02专项”重点支持企业之一，专注于半导体前道设备（WFE）国产化；
• 新凯来旗下多个项目均以“山”命名（如泰山、昆仑），而“Mount Everest”与此命名体系一致，暗示两者高度关联。

这一模式类似于韩国 SK Hynix 与 SEMES 的关系——由同一集团统筹设备与制造协同推进。

此外，美国商务部已于 2024 年底将宇量昇列入实体清单，限制其获取美国技术与零部件，侧面印证了该项目的战略地位。

对中芯国际意味着什么？

短期内，中芯国际仍将主要依赖 ASML 提供的 DUV 设备（如 NXT:1980Di），尤其是在高性能逻辑和先进 FinFET 工艺上。

但长期来看，国产设备的导入具有重要意义：