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SK海力士超越三星率先推出321层TLC NAND闪存
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标签:
NAND闪存
SK海力士
三星
1年前 (2024-12-27)
全球第二大内存芯片制造商 SK海力士 近日在技术竞赛中领先竞争对手三星,成为首家量产 321层TLC NAND闪存 的公司。这一技术进步将推动更高容量的内存以更实惠的价格进入市场。 技术突破与优势 SK海力士最近发布了其新款 1Tb 4D NAND芯片,创下了新的记录。该公司在不到一年前还率先推出了238层NAND闪存...
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SK海力士超越三星率先推出321层TLC NAND闪存
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