美国政府向 Gelsinger 支持的 EUV 开发商 xLight 提供 1.5 亿美元联邦激励

公司将开发用于光刻工具的电子束新型光源，以构建基于自由电子激光的 EUV 光源原型。

美国本土初创公司 xLight 专注于基于粒子加速器的 EUV 光源开发，于周二与美国商务部签署意向书，拟根据《芯片与科学法案》获得 1.5 亿美元 的联邦激励资金。xLight 在今年早些时候突然崭露头角，聘请英特尔前首席执行官 Pat Gelsinger 担任执行董事长。若资金到位，将用于推动其基于自由电子激光的光源技术在奥尔巴尼落地，并在实践中验证其可行性后加速实现商用化。

来自特朗普政府的 1.5 亿美元支持

xLight 首席执行官兼首席技术官 Nicholas Kelez 表示：“在商务部、投资者及开发合作伙伴的支持下，xLight 正在奥尔巴尼纳米技术园区建造其首个自由电子激光系统。那里拥有全球最顶尖的光刻技术能力，将支撑我们开展定义芯片制造未来的研发工作。”

特朗普政府此前对拜登总统的《芯片与科学法案》持强烈怀疑态度，称其浪费纳税人资金。然而，美国政府对 xLight 的态度似乎有所转变。该公司承诺开发用于 EUV 光刻工具的新型 FEL 光源，以替代当前基于二氧化碳激光的激光等离子体光源。若 xLight 成功将其技术与 ASML 的光刻扫描仪集成，美国将掌控此类工具全球供应链的关键环节，这或许是当前美国政府改变态度的原因。

xLight 执行董事长、Playground Global 普通合伙人 Pat Gelsinger 表示：“构建能效提升十倍的新一代 EUV 激光器，将推动摩尔定律进入下一个时代，加速晶圆厂生产效率，同时发展关键的国内自主能力。”

需要注意的是，在此类政府与企业的意向书中，LOI 仅为非约束性的原则性协议：表明双方有意向前推进，但政府无义务拨付资金，企业也无权强制获得资金。不过，这标志着政府已完成初步评估并选定企业作为潜在资助对象。xLight 接下来将与美国商务部及奥尔巴尼纳米技术园区的团队合作，预计未来数月将有进一步信息披露。同时，公司将继续通过能源部实验室网络开展联合研发。

突破性技术

xLight 正在开发一种基于 FEL 的光源，可直接为现有 ASML 晶圆扫描仪提供相干的 EUV 辐射。该方法与 ASML（通过其美国子公司 Cymer）为当前光刻工具开发的 LPP 光源有显著差异。

xLight 通过粒子加速器产生高能电子束，利用射频与磁场将电子加速至极高速度；随后将这些高速粒子注入 FEL，电子通过产生周期性磁场的波荡器，从而生成具有所需波长（EUV 为 13.5nm，可扩展至软 X 射线 2nm）的相干高强度光束。FEL 设备位于晶圆厂相邻的独立设施中（不在洁净室内）。EUV 光产生后，通过配备转向站的掠入射镜管道网络传输至多台 ASML 扫描仪（每台 FEL 最多可支持 20 台）。光线随后进入扫描仪的照明系统，经整形后投射到晶圆上。

由于无需等离子体转换步骤，xLight 宣称其设备能实现更高亮度、更窄光谱宽度以及飞秒级脉冲，从而获得更清晰的图案。然而，该公司仍需验证两个关键问题：其技术本身是否可行，以及是否适用于半导体的大规模生产。后者可能比前者更具挑战，因为 xLight 需要找到一家拥有多台低数值孔径（或更高数值孔径）EUV 设备的公司，愿意在单价约 2 亿美元（高数值孔径 EUV 接近 4 亿美元）的扫描仪上进行实验。

此外，由于 xLight 使用了能源部实验室网络，其技术中至少部分内容可能属于机密，这意味着公司难以以任何形式将其出口至其他国家。一方面，这可能使美国在光刻领域获得优势；但另一方面，也可能延缓该技术的全球普及。