尽管英特尔尚未获得任何外部客户对 14A 制程工艺 的正式订单，但公司近日透露，已有两家潜在客户正在积极评估基于该工艺的测试芯片，并有望在今年下半年做出明确的投产承诺。
这一信息来自英特尔在最新财报电话会议上的披露。CEO 陈立武（Lip-Bu Tan）表示：“已有几家公司与我们接洽了 PDK 0.5 版本，他们不仅在评估测试芯片，更重要的是，正在规划未来在我们代工厂生产特定产品。”他进一步指出，客户预计将在 2026 年下半年至 2027 年上半年之间做出坚定的供应商决策。
若承诺如期达成，相关芯片设计将进入量产阶段，最早可能于 2028 年实现大规模出货。
尚无外部订单，产能投资暂缓
截至目前，英特尔仍未获得任何外部客户对 14A 工艺的正式承诺。作为其严格成本控制策略的一部分，公司暂未为第三方客户建设 14A 专用产能。
“我们认为在今年下半年，客户将向我们明确所需产能规模和具体承诺，”陈立武解释道，“届时我们才能部署相应的资本支出，建设匹配的制造能力。这本质上是一项服务业务——我们已赢得信任，并能提供稳定可靠的服务。”
PDK 0.5 按计划推进，客户反馈积极
在代工行业，PDK（工艺设计套件）0.5 版本是芯片设计公司启动测试芯片开发的关键节点。英特尔确认，14A 的 PDK 0.5 将按计划于2026 年第一季度末发布。
值得注意的是，部分“Alpha 客户”已使用更早期的 PDK 版本开始构建测试芯片，显示出高度参与意愿。陈立武强调：“迄今为止，客户对 PDK 的反馈非常积极。我们的 PDK 现已被视为行业标准。”
此外，14A 的研发进展顺利。英特尔通过简化工艺步骤，显著提升了性能优化与良率爬坡的速度，并正同步开发完整的 IP 组合与设计支持工具链。
14A 将推出多种变体，适配不同应用场景
英特尔还透露，14A 工艺并非单一版本，而是将针对不同客户需求推出多个变体。
当被问及是否会在 14A 中引入 ASML 的 High-NA EUV 光刻设备（Twinscan EXE 系列，单台造价约 4 亿美元）时，CFO David Zinsner 回应：“高数值孔径光刻技术的目标是集成到 14A 工艺流程中。”
不过，他并未说明具体哪些变体会采用 High-NA。业界推测，不同版本可能面向不同市场：
- 高性能计算/服务器芯片：可能采用完整版 14A，包含背面供电网络（BSPDN）和 High-NA 光刻；
- 移动/消费类芯片：或推出简化版，省略高成本模块以控制成本；
- 成本敏感型应用：可能跳过 High-NA 设备，沿用现有 EUV 工具。
这种“分层策略”表明，英特尔正试图在先进制程的性能优势与商业化可行性之间寻求平衡。
背景：14A 是英特尔代工战略的关键一环
14A（即 Intel 14 埃米）是英特尔 20A（2nm 级）之后的重要节点，计划于 2027 年量产。它不仅用于自家 Arrow Lake 和 Panther Lake 处理器，更是英特尔争夺外部代工客户（如高通、亚马逊、微软等）的核心武器。
如今，面对台积电 N2/N3 和三星 SF2 的竞争，14A 的成败将直接影响英特尔能否在 2027–2028 年真正成为全球第三大先进制程供应商。
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