创新封装技术或将落地实现！SK海力士将DRAM与NAND整合至单封装，提升AI运算性能

各大内存制造商正积极扩展产能，以满足行业对芯片日益增长的需求。SK海力士则瞄准更高目标，计划显著提升移动设备及其他边缘设备上的AI运算效能。

据多家韩国消息源透露，SK海力士正在开发一款新型计算机内存，旨在加速本地计算任务。这款高带宽存储内存技术在先前推出的高带宽闪存基础上进一步创新，通过将移动DRAM与NAND闪存整合于便携式计算设备中实现突破。

消息人士称，HBS技术专为智能手机、平板等移动设备的AI运算场景设计，可堆叠多达16层DRAM与NAND存储单元，并通过垂直布线扇出结构实现层间互联。

SK海力士最初在Apple Vision Pro中实现了基于VFO的DRAM产品，但HBS通过集成NAND闪存芯片进一步提升了技术复杂度。这家韩国存储巨头于2023年推出VFO技术时曾强调，该封装方案将显著改善能效、散热与芯片微型化水平。

VFO技术的核心在于采用垂直布线替代传统弯曲导线实现芯片层间连接。相比传统布线方案，垂直布线扇出设计将层间电子传输所需空间减少至1/4.6。SK海力士数据显示，此举可使能效提升4.9%，散热性能改善1.4%，封装厚度较传统芯片缩减27%。

与SK海力士携手SanDisk共同研发的HBF技术不同，HBS无需硅通孔连接技术。这一特性有望提高制造良率并降低生产成本，推动技术在半导体行业的广泛普及。

据相关人士透露，新型DRAM+NAND堆叠设计预计将与设备应用处理器直接封装。HBS内存很可能用于加速智能手机及其他基于SoC设备的数据处理流程。

尽管实际性能仍有待验证，但SK海力士开发HBS的明确目标就是提升移动设备AI任务处理能力。该项技术计划在2029至2031年间正式推出，而公司目前已面临2026年新型芯片的客户需求压力。