MSI Afterburner 的核心开发者 Alexey Nicolaychuk 近日在 Guru3D 论坛透露,他正在开发一项重大功能更新——“三通道电压控制”(Triple Voltage Control),专为未来的 MSI GeForce RTX 50 系列显卡设计。这项技术将显著扩展超频玩家对 GPU 电压系统的掌控能力,突破当前 NVIDIA 公版设计的限制。
什么是“三通道电压控制”?
目前,大多数显卡超频工具仅允许用户调节 GPU 核心电压(Vcore),而内存和辅助供电模块则由固件自动管理。但在新一代 MSI RTX 50 系列上,Afterburner 将首次引入对以下三个独立电压域的手动控制:
- GPU 核心电压(Core Voltage)
- 显存电压(Memory Voltage)
- 辅助供电电压(MSVDD / Auxiliary Voltage)
这意味着用户可以分别调整 GDDR7 显存颗粒和供电电路的工作电压,从而实现更精细、更激进的超频策略。
此外,核心电压控制也将升级:支持 直接 PWM 访问模式,并将电压偏移范围从常见的 ±20mV 扩展至 ±100mV,为极限超频提供更大空间。
为何这是重大突破?
NVIDIA 在其 Founders Edition 显卡及多数第三方产品中,对电压调节设置了严格限制:
- 默认仅开放有限的核心电压偏移(通常不超过 ±20mV);
- 显存与辅助电压完全锁定,无法通过软件修改;
- 驱动层面对 I2C 总线设备进行黑名单管控,阻止第三方工具访问底层电源控制器。
这使得传统意义上的深度超频变得极为困难。过去,只有借助极端冷却(如液氮)和定制固件才能实现显著性能提升。
而 MSI 此次的新设计绕开了这些限制——通过硬件层面的修改,使 Afterburner 能够直接访问 I2C 总线上的多个电压控制器。不过,这一功能仅适用于特定的 MSI 自研非公版 RTX 50 系列显卡,无法用于公版或遵循 NVIDIA 参考设计的其他型号。
内存电压控制:真正的性能钥匙
在现代高性能 GPU 中,尤其是基于 Blackwell 架构并搭载 GDDR7 显存的 RTX 50 系列,显存带宽常常成为性能瓶颈。以往,即使显存具备更高潜力,也因缺乏电压调节权限而无法稳定超频。
现在,拥有 手动显存电压控制 后,超频者可以:
- 提升 GDDR7 工作电压以支撑更高的频率;
- 改善高负载下的信号稳定性;
- 在游戏、渲染等内存密集型场景中榨取更多性能。
这对于追求帧率极限的发烧友和超频纪录挑战者而言,是一次质的飞跃。
局限与未来展望
尽管三通道电压控制令人振奋,但其适用范围目前非常有限:
- 仅支持未来的部分 MSI 非公版 RTX 50 系列显卡;
- 其他品牌若想实现类似功能,必须自行修改硬件和驱动逻辑,避开 NVIDIA 的 I2C 黑名单机制;
- 普通用户无需担心误操作风险,因为该功能不会出现在主流消费级产品中。
Nicolaychuk 表示,他对 NVIDIA 的封闭策略感到沮丧,但也承认这是厂商保护稳定性和功耗合规性的手段。未来是否会有更多厂商跟进,推出支持全电压调控的高端超频型号,仍有待观察。
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